JAN1N5622US
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | JAN1N5622US |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $10.05 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | D-5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2 µs |
Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, A |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 200°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500 nA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | 1N5622 |
JAN1N5622US Einzelheiten PDF [English] | JAN1N5622US PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A
DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A
DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13
TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
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DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() JAN1N5622USMicrochip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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